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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Springer Berlin,
Buch
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Kurzbeschreibung

The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses issues in the design of SRAM memory cells for advanced CMOS technology, including variability, leakage and reliability.

Details
Schlagworte
Hauptbeschreibung

Titel: Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Autoren/Herausgeber: Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada (Hrsg.)
Aus der Reihe: Springer Series in Advanced Microelectronics
Ausgabe: 2011

ISBN/EAN: 9783642270185

Seitenzahl: 144
Format: 23,5 x 15,5 cm
Produktform: Taschenbuch/Softcover
Gewicht: 248 g
Sprache: Englisch

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

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